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產(chǎn)品中心
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溫度補償晶體振蕩器
采用高精度溫度補償模塊，生成補償電壓，使晶振溫度特性指標(biāo)達到10-6~10-7量級。溫補晶振功耗低、體積小、集成化，不需預(yù)熱時間，主要應(yīng)用于各類測試設(shè)備、通信設(shè)備、移動設(shè)備。
產(chǎn)品描述
TCXO系列 | 頻率范圍(MHz) | 電源電壓 | 溫度穩(wěn)定度 | 工作溫度范圍 | 頻率準(zhǔn)確度 | 輸出波形 | 長(mm) | 寬(mm) |
T4 | 5~170MHz | 3.3V/5V | ±0.1~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±1PPM | Sine wave/LVCMOS | 20.5 | 13 |
T8 | 5~60MHz | 3.3V/5V | ±0.1~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±1PPM | Sine wave/LVCMOS | 13 | 13 |
T9 | 5~170MHz | 3.3V/5V | ±1~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±2PPM | Sine wave/LVCMOS | 9 | 14 |
T7 | 5~60MHz | 3.3V/5V | ±0.2~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±2PPM | CS/LVCMOS | 7 | 5 |
T5 | 10~52MHz | 3.3V/5V | ±0.2~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±2PPM | CS/LVCMOS | 5 | 3.2 |
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